能薄膜性測(cè)試儀型號(hào):HAD0-70601 | |
儀器由四探針測(cè)試儀和非晶硅薄膜電導(dǎo)率測(cè)量儀兩分組成。具有測(cè)量精度,靈敏度,穩(wěn)定性好,測(cè)量范圍寬,結(jié)構(gòu)緊湊,使用方便等點(diǎn)。儀器適用于半導(dǎo)體材料廠,半導(dǎo)體器件廠,科研單位,等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能的測(cè)試。 四探針測(cè)試儀由主機(jī),測(cè)試架等分組成??梢詼y(cè)量片狀,塊狀,塊狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率,測(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻(亦稱方塊電阻),能材料暗電導(dǎo)和光電導(dǎo)及溫度的變化的性,還可以對(duì)金屬導(dǎo)體的低,中值電阻行測(cè)量。測(cè)試探頭采用寶石導(dǎo)向軸套和耐磨碳化鎢探針制成,故定位準(zhǔn)確,游移率小,壽命長。 非晶硅薄膜電導(dǎo)率測(cè)量儀由樣品室,溫控系統(tǒng),真空系統(tǒng),阻測(cè)量系統(tǒng)等分組成。 1. 測(cè)量范圍:電阻測(cè)量范圍:1×106 1×1017Ω; 電阻率:0.001~200Ω cm; 電導(dǎo)率:0.005~1000s/cm; 2. 可測(cè)晶片直徑:200mm×200mm; 3. 探針:碳化鎢或速鋼;探針間距:1± 0.01mm; 4. 針間緣電阻: ≥ 1000 MΩ; 機(jī)械游移率:≤0.3%; 5. 本底真空度: ≤10Pa,氣壓可控范圍:10~400Pa; 襯底加熱溫度:室溫度~200℃ | 能薄膜性測(cè)試儀![]() |